141047-1_500

Силовой модуль IGBT BSM50GP120

Поставка электронных компонентов в Саратов

9.900,00 руб.

x 9.900,00 = 9.900,00
Артикул: 1086054 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Саратов уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней9.900,00руб.9.207,00руб.8.712,00руб.8.415,00руб.8.118,00руб.7.969,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней11.187,00руб.10.098,00руб.9.900,00руб.9.504,00руб.9.207,00руб.9.009,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней12.078,00руб.10.890,00руб.10.593,00руб.10.296,00руб.9.702,00руб.9.108,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней11.781,00руб.10.593,00руб.10.395,00руб.9.999,00руб.9.603,00руб.9.058,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней16.830,00руб.15.147,00руб.14.850,00руб.14.256,00руб.13.761,00руб.12.573,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней16.731,00руб.15.048,00руб.14.731,20руб.14.157,00руб.13.662,00руб.12.474,00руб.

Характеристики

Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Подробности
Торговая марка
Infineon Technologies
Продукт
IGBT Silicon Modules
Конфигурация
Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Ток утечки затвор-эмиттер
300 nA
Рассеяние мощности
360 W
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Упаковка блок
EconoPIM3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+- 20 V
Минимальная рабочая температура
— 40 C
Вид монтажа
Screw
Размер фабричной упаковки
500

Дополнительная информация

Бренд

Infineon